原子層沉積設(shè)備技術(shù)為國家科技重大專項(xiàng)02專項(xiàng)項(xiàng)目“32nm以下設(shè)備關(guān)鍵技術(shù)研究及創(chuàng)新設(shè)備技術(shù)探索”成果之一,研制產(chǎn)品針對32nm以下技術(shù)代原子層薄膜沉積(ALD)系統(tǒng)及相應(yīng)的高K柵介質(zhì)工藝驗(yàn)證及新材料設(shè)備工藝進(jìn)行探索。該機(jī)型突破“形核長大”薄膜材料生長原理,在國際上首創(chuàng)適變電場調(diào)制的原子層吸附生長方法,達(dá)到原子級別智能化,使得薄膜材料制備更精準(zhǔn)、更致密、更均勻。
阿薩德1111245